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局部放電超聲波方法診斷流程-國(guó)浩電氣
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局部放電超聲波方法診斷流程

發(fā)布時(shí)間:2020-07-29 11:18:22人氣:

在電氣設(shè)備局部放電檢測(cè)中,超聲波帶電檢測(cè)方法是應(yīng)用最廣泛的一種檢測(cè)方法;而國(guó)內(nèi)電力系統(tǒng)內(nèi)己經(jīng)安裝的幾套超聲波局部放電長(zhǎng)期在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)受技術(shù)和設(shè)備的穩(wěn)定性所限,性能不穩(wěn)定,出現(xiàn)高誤報(bào)率,應(yīng)用受到很大的限制,相關(guān)技術(shù)有待進(jìn)一步的研究和完善。

一般情況下,超聲波局部放電帶電檢測(cè)基本流程圖如下圖所示。在檢測(cè)開始前,通過(guò)對(duì)背景和檢測(cè)點(diǎn)超聲波信號(hào)有效值、幅值、頻率相關(guān)性、相位及原始波形的測(cè)定,判斷是否正常。如果有異常信號(hào),就進(jìn)一步分析確認(rèn)所檢測(cè)的設(shè)備是否存在明顯缺陷,以確定缺陷的原因和位置;對(duì)于疑似缺陷、一些間歇性和不穩(wěn)定的異常信號(hào),可以利用其它不同檢測(cè)手段如特高頻、紅外測(cè)溫、分解物分析、X射線等進(jìn)行輔助檢測(cè)。

超聲波局部放電檢測(cè)對(duì)顆粒、懸浮放電、尖端放電、松動(dòng)、異物雜質(zhì)等缺陷均有較好的檢測(cè)效果,對(duì)絕緣子內(nèi)部缺陷靈敏度低。超聲波局部放電檢測(cè)和特高頻(UHF)局部放電檢測(cè)為互為補(bǔ)充,互為驗(yàn)證的關(guān)系,必須保證平衡。

超聲波局部放電帶電檢測(cè)的原則和基本流程
局部放電是一種極其復(fù)雜的物理化學(xué)現(xiàn)象,基本不能用單一參數(shù)來(lái)進(jìn)行全面描述,所以在進(jìn)行絕緣狀態(tài)診斷中應(yīng)可能的全面分析系統(tǒng)性的放電譜圖,以免出現(xiàn)不準(zhǔn)確判斷。局部放電缺陷診斷的主要依據(jù)是信號(hào)水平、頻率相關(guān)性、相位分布和特征指數(shù),同時(shí)也可以參考時(shí)域波形。

(1)正常判斷依據(jù)
根據(jù)局放點(diǎn)背景和檢測(cè)點(diǎn)所測(cè)超聲波信號(hào)的周期峰值、有效值、50Hz相關(guān)性、100Hz相關(guān)性、時(shí)域波形的差異、特征指數(shù)分布以及相位分布的情況,滿足下表1的所有標(biāo)準(zhǔn)即為正常,任何一項(xiàng)參數(shù)不滿足均可判定為異常。背景信號(hào)通常由頻率均勻分布的白噪聲構(gòu)成,表2列出了不同檢測(cè)模式下背景信號(hào)的典型譜圖與特征。
表1超聲波局部放電現(xiàn)象正常的判定標(biāo)準(zhǔn)
表1 超聲波局部放電現(xiàn)象正常的判定標(biāo)準(zhǔn)
表2不同檢測(cè)模式下的背景噪聲典型譜圖
表2 不同檢測(cè)模式下的背景噪聲典型譜圖

(2)有明顯缺陷的判斷依據(jù)
據(jù)局放點(diǎn)背景和檢測(cè)點(diǎn)所測(cè)超聲波信號(hào)的周期峰值、有效值、50Hz相關(guān)性、100Hz相關(guān)性、時(shí)域波形的差異、特征指數(shù)分布以及相位分布的情況,缺陷的幾種不同類型的判斷標(biāo)準(zhǔn)如表3所示。
表3不同檢測(cè)模式下的背景噪聲典型譜圖
表3 不同檢測(cè)模式下的背景噪聲典型譜圖

(3)疑似缺陷判斷依據(jù)
如表4所示,在檢測(cè)過(guò)程中,如果觀察到一些間歇性的沒有規(guī)律的異常信號(hào),即可以判斷為疑似缺陷。
表4超聲波局部放電疑似缺陷的判定標(biāo)準(zhǔn)
表4 超聲波局部放電疑似缺陷的判定標(biāo)準(zhǔn)
GIS中的超聲波局部放電定位技術(shù)分為頻率定位技術(shù)和幅值定位技術(shù)。所謂頻率定位技術(shù),就是依靠SF6氣體具有超聲波信號(hào)中的高頻信號(hào)的吸收作用,通過(guò)分析超聲波信號(hào)高頻部分(50kHz-100kHz的比例來(lái)區(qū)分缺陷位于中心導(dǎo)體上還是外殼上,具體流程見下圖。而對(duì)于穩(wěn)定缺陷,可以利用幅值定位與時(shí)差定位技術(shù)進(jìn)行精確定位。
頻率定位技術(shù)的流程
頻率定位技術(shù)的流程

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