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局部放電產(chǎn)生的微觀理論

發(fā)布時間：2020-08-04 04:00:59人氣：

局部放電
局部放電通常不會使絕緣介質(zhì)的放電通道穩(wěn)定存在，但該現(xiàn)象的發(fā)生會降低絕緣介質(zhì)的電氣性能和機械性能。因此局部放電對絕緣介質(zhì)的影響是逐漸積累緩慢發(fā)展的過程，嚴重影響到電氣設(shè)備的穩(wěn)定正常的工作及生產(chǎn)安全。對局部放電的微觀原理的研究主要有兩種：湯遜理論和流注理論。

（1）湯遜放電理論

自由電子在電場中被加速并與氣體中的微觀粒子發(fā)生撞擊，在此過程中電子的能量不斷升高。電子能量升高到某個臨界點后，氣體發(fā)生電離產(chǎn)生新的自由電子和離子，這些電子持續(xù)運動，進一步出現(xiàn)更多新的電子和離子。該過程不斷進行，自由電子呈指數(shù)增加，最終導致電子崩，達到自持放電條件時，會發(fā)生局部放電現(xiàn)象。湯遜放電理論通常應(yīng)用在低氣壓且間隙較小的情況。

（2）流注放電理論

隨著研究的深入1939年H.Raether充分認識到了湯遜放電的局限并尋求在此理論之上的拓展及補充，最終提出了一種新的解釋：流注放電理論。流注放電認為電子崩的場強與外施電場在氣體間隙的場強強度是自持放電的重要條件，電場畸變最終會產(chǎn)生流注現(xiàn)象。流注放電產(chǎn)生的原因是在出現(xiàn)電子崩時，電子崩頭尾之間的離子濃度差達到臨界值時發(fā)生輝光放電，氣體中的中性分子受到輝光放電產(chǎn)生的光子影響發(fā)生二次電子崩。兩次雪崩累加的影響會產(chǎn)生更多的電子崩，當發(fā)展到電子崩兩極時就產(chǎn)生了氣體放電現(xiàn)象。氣體放電通過放電通道形成流注放電，流注是發(fā)生自持放電的重要條件之一，該現(xiàn)象進一步發(fā)展為局部放電。在工程實際中，造成絕緣劣化的主要原因是流注放電。

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