局部放電
1. 局部放電理論的微觀解釋
一般認(rèn)為，局部放電是一種未發(fā)生擊穿的放電現(xiàn)象，具體來講，是指絕緣系統(tǒng)在電場作用下只有部分區(qū)域發(fā)生放電但沒有穿透施加電壓的導(dǎo)體之間的放電現(xiàn)象。局部放電不會造成絕緣系統(tǒng)的貫穿性擊穿，但是會局部破壞電介質(zhì)材料尤其是有機(jī)材料。長期發(fā)生的局部放電會降低絕緣材料的電氣強(qiáng)度。所以局部放電對絕緣系統(tǒng)的破壞是一個又量變到質(zhì)變的過程，對高壓電氣設(shè)備的正常運行構(gòu)成隱患。一般根據(jù)設(shè)備不同條件的下的局放特性可以評估其絕緣水平。
目前對于局部放電的描述有兩大微觀理論：湯遜理論和流注理論。
1）湯遜理論：自由電子在電廠加速運動過程中與中性氣體分子碰撞，當(dāng)能量達(dá)到一定高度時，氣體電離產(chǎn)生電子，這樣就有了新的自由電子和離子，這些電子繼續(xù)運動，再繼續(xù)碰撞產(chǎn)生新的電離和離子。如此循環(huán)，自由電子的數(shù)目成α倍增長，于是形成了電子崩，當(dāng)滿足自持放電條件時，就會發(fā)生局部放電。湯遜理論適用于pd（p為氣體壓強(qiáng)，d為放電間隙）值較小的情況下。
2）流注理論：該理論是在湯遜理論的基礎(chǔ)上發(fā)生的，適用于pd值較大的情況下。它著重強(qiáng)調(diào)氣體空間的光電離現(xiàn)象。電子崩發(fā)生時，電崩頭與崩尾的離子濃度達(dá)到一定程度就會發(fā)出光子，光子再激發(fā)中性分子放電進(jìn)而產(chǎn)生二次電子崩。兩次雪崩疊加后使電子崩中部的等離子區(qū)迅速擴(kuò)大，當(dāng)擴(kuò)大到貫穿電子崩兩極時就發(fā)生了氣體放電。氣體放電沿著一條狹窄的等離子通道產(chǎn)生，從而形成流注放電，流注放電一旦形成，放電就轉(zhuǎn)入自持，局部放電就產(chǎn)生了。
2. 局部放電的特點
一般來說，局部放電具有以下幾個特點：（1）破壞性。
局部放電會引起高壓電氣設(shè)備局部過熱，加快設(shè)備的老化，縮短其使用壽命；放電嚴(yán)重時，直接損壞電氣設(shè)備。
（2）隨機(jī)性。
局部放電趨勢是局部放電隨著時間變化的過程，這是個曲折、隨機(jī)的過程，某個階段可能上升，另一個階段下降，并且，其上升或者下降沒有固定的時間規(guī)律，具有隨機(jī)性。
（3）伴隨性。
通常情況下，高壓電氣設(shè)備產(chǎn)生局部放電時，會伴隨光、電、聲、熱等現(xiàn)象，會產(chǎn)生光、電流脈沖、超聲波、超高頻電磁波，還會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生一些新的生成物。
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